こんにちは。日本データ復旧サービスセンターです。
本日は昨日お話させて戴いた「ケータイフラッシュメモリのエラーはなぜ起こる?」の
後編です。
（Impress PC Watchより抜粋）
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/0331/irps03.htm
によりますと、メーカーでは、前述のアルファ線が熱中性子線が半導体デバイスに
衝突してもソフトエラーが発生しないように耐性を高めるための策が講じられている
ようです。
SRAMで採用されているのはエラー訂正コード（ECC）あるいはバリティビットと
呼ばれる方法でソフトエラーに関しては、有効な対策になるそうです。一方、SRAM
セルを基本素子とするFPGA（プログラミングすることができるLSIのこと）は、対応の
難易度が上がるようです。
このソフトエラー対策が必須となる機器は人工衛星などの宇宙用電子機器（何か
今回はえらい話になってきましたね・・・）で、この分野では論理回路を3重化する
対策を講じているようです。（回路のコストも3倍！）
但し、ユーザー側の都合も有るのでおいそれとはこの対策を打つことはできない
ようで、そこである研究グループ（Los Alamos National LaboratoryとBrigham
Young University）では回路の特定部分だけを3重化する手法を考案したとのこと
でした。
手元のケータイに話を戻すと、普通皆様がお使いの携帯にはNOR型のフラッシュ
メモリが搭載されていて、ここで携帯のさまざまな機能を実行するのに必要な
プログラムを格納しています。フラッシュメモリはデータを電気的に書き換えること
が出来るので、携帯本体の電源を切ってもデータは保持されることになっています。
これはメモリに一定のエネルギーを与えるとデータが変化するようということです
が、電源を切った後のメモリセルにも僅かな量のエネルギーが残留するし、
室内に放置された携帯電話には今度は室温によるエネルギーが影響するので
10年後も本当にデータを保持出来るのか？という疑問はつきまとうようです。
（10年間同じ携帯電話を使うかどうかという話も有りますが・・・）
Nokiaでは、そのようなユーザーの疑問に答えるべくフラッシュメモリの不良に関する
実績データを公表したそうです。（2002年-2005年の不良実績データ）
不良原因を分析したところ、半導体のウェハー処理工程における欠陥に起因する
不良がもっとも多く、全体の6割強。次いで、過電圧印加や静電気放電を原因と
する不良が1割、フラッシュメモリの取り扱いに起因する不良が1割未満の順で
あったと述べられていました。
Nokiaはこの事実に対して半導体メーカーに欠陥の低減と、スクリーニングの徹底を
要望したとのことでした。
以上で、「ケータイフラッシュメモリのエラーはなぜ起こる?」は終わりとさせて
いただきます。お楽しみいただけたでしょうか。それでは。
